調査レポート

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    2026年版 中国パワーデバイス関連市場の現状と将来展望

    2026年版 中国パワーデバイス関連市場の現状と将来展望
    発刊日2026/06/05 112604928

    パワーデバイス市場では、中国市場が全体の約半数を占めており、BEVなどのアプリケーション市場の成長を受けて、今後も成長する見込みです。中国政府の国産部品を推奨する政策により、中国デバイスメーカーがシェアを獲得しています。また、新興の中国デバイスメーカーが老舗メーカーのシェアを奪うなど世界市場とは異なるシェア構造を形成していると予測されます。本調査では、中国における、主要パワーデバイスおよびSiCウェーハ/エピ膜成長装置の市場規模推移やメーカーシェアを明らかにすることを目的に実施します。

調査対象

■パワーデバイスメーカー
サンケン電気、三社電機製作所、新電元工業、東芝デバイス&ストレージ、ミネベアパワーデバイス、富士電機、三菱電機、ルネサスエレクトロニクス、ローム、Alpha and Omega Semiconductor、BYD Semiconductor、China Resources Microelectronics、CRRC Times Semiconductor、Infineon Technologies、Innoscience、JieJie Microelectronics、Littelfuse、Nexperia、Onsemi、Semikron Danfoss、Silan Microelectronics、Sino-Microelectronics、StarPower Semiconductor、 STMicroelectronics、Vishay Intertechnology、Wolfspeed、Yangjie Electronic Technology など

■SiCウェーハメーカー
Wolfspeed、SICC、TanKeBlue Semiconductor、SK siltron、Jingrui SuperSiC Electronic Materials、Coherent、SiCrystal、Semisic Crystal、Synlight Semiconductor など

■SiC用エピ膜成長装置メーカー
AIXTRON、東京エレクトロン、ニューフレアテクノロジー、NAURA Technology Group、Jingsheng Mechanical & Electrical、Naso Tech など
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調査項目

【II.個別品目編 共通項目】
 1.市場定義
 2.中国市場規模推移
 3.中国市場メーカシェア
 4.中国アプリケーション別市場規模推移
 5.価格トレンド・今後の方向性

 ※一部の品目で異なる場合がある
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目次

I. 総括編
 1.中国パワーデバイス市場の全体俯瞰   2
 2.中国市場におけるシェア動向
  1)全体市場   3
  2)トランジスタ市場   3
  3)パワーモジュール市場   4
  4)次世代パワーデバイス市場   4
 3.中国市場におけるアプリケーション動向
  1)全体市場   5
  2)トランジスタ市場   5
  3)パワーモジュール市場   6
  4)次世代パワーデバイス市場   6
  5)主要アプリケーションとユーザーの採用意向   7
 4.次世代パワーデバイス関連市場の方向性
  1)SiCパワーデバイス   9
  2)SiCベアウェーハ   10
  3)SiC用エピ膜成長装置   11
  4)中国SiCパワーデバイスのサプライチェーン   12
 5.中国系デバイスメーカー展開動向   
  1)中国系デバイスメーカー基本情報   13
  2)中国系デバイスメーカー製品展開動向   17
  3)中国系デバイスメーカーポジショニング   19
 6.アライアンス動向   20
 7.中国市場で求められるパッケージ動向   21

II. 個別品目編
 1.ダイオードディスクリート   23
 2.低耐圧パワーMOSFET   26
 3.高耐圧パワーMOSFET   29
 4.IGBTディスクリート   32
 5.IGBTモジュール   35
 6.IPM   38
 7.SiC-FETディスクリート   41
 8.SiCパワーモジュール   44
 9.GaNパワーデバイス   47
 10.SiCベアウェーハ   50
 11.SiCエピウェーハ   53
 12.SiC用エピ膜成長装置   56
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レポートサマリー

関連情報

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