REPORTS調査レポート

パワーデバイス編
　1.整流ダイオード

　2.SBD（ショットキー・バリア・ダイオード）
　3.FRD（ファースト・リカバリー・ダイオード）
　4.SiC-SBD
　5.バイポーラパワートランジスタ
　6.低耐圧パワーMOSFET
　7.高耐圧パワーMOSFET
　8.IGBTディスクリート
　9.SiC-FETディスクリート
　10.GaNパワーデバイス
　11.サイリスタ・トライアック
　12.IGBTモジュール
　13.インテリジェントパワーモジュール
　14.サイリスタ/ダイオードモジュール
　15.SiCパワーモジュール
　16.酸化ガリウムパワーデバイス
　17.ダイヤモンドパワーデバイス

構成部材編
　18.シリコンウェーハ
　19.SiCウェーハ
　20.GaNウェーハ
　21.酸化ガリウムウェーハ
　22.ダイヤモンドウェーハ
　23.窒化アルミニウムウェーハ
　24.二酸化ゲルマニウムウェーハ
　25.半導体レジスト
　26.バッファーコート膜
　27.CMPパッド
　28.CMPスラリー
　29.ダイボンディングペースト
　30.はんだ
　31.シンタリング接合材
　32.ボンディングワイヤ
　33.封止材料
　34.窒化アルミニウム回路基板
　35.アルミナ系回路基板
　36.窒化ケイ素回路基板・白板
　37.金属放熱基板
　38.放熱シート
　39.放熱グリース

製造装置編
　40.エピ膜成長装置
　41.グラインダ
　42.CMP装置
　43.プラズマCVD
　44.コータ/デベロッパ
　45.露光装置
　46.イオン注入装置
　47.熱処理装置
　48.レーザーアニール装置
　49.ドライエッチング装置
　50.スパッタリング装置
　51.洗浄装置
　52.ダイシング装置
　53.ダイボンダ
　54.焼結装置
　55.ワイヤボンダ
　56.モールティング装置
　57.ウェーハ外観検査装置
　58.チップ外観検査装置
　59.電気テスタ装置

※調査過程で変更となる可能性がございます。