調査レポート

パワーデバイス編
　1.整流ダイオード

　2.SBD
　3.FRD
　4.SiC-SBD
　5.バイポーラパワートランジスタ
　6.低耐圧パワーMOSFET
　7.高耐圧パワーMOSFET
　8.IGBTディスクリート
　9.SiC-FETディスクリート
　10.GaNパワーデバイス
　11.サイリスタ・トライアック
　12.IGBTモジュール
　13.IPM
　14.ダイオード/サイリスタモジュール
　15.SiCパワーモジュール
　16.酸化ガリウムパワーデバイス
　17.ダイヤモンドパワーデバイス

構成部材編
　18.シリコンウェーハ
　19.SiCウェーハ
　20.GaNウェーハ
　21.酸化ガリウムウェーハ
　22.ダイヤモンドウェーハ
　23.窒化アルミニウムウェーハ
　24.二酸化ゲルマニウムウェーハ
　25.半導体レジスト
　26.バッファーコート膜
　27.CMPパッド
　28.CMPスラリー
　29.ダイボンディングペースト
　30.はんだ
　31.シンタリング接合材
　32.ボンディングワイヤ
　33.封止材料
　34.窒化アルミニウム回路基板
　35.アルミナ系回路基板
　36.窒化ケイ素回路基板・白板
　37.金属放熱基板

製造装置編
　38.エピ膜成長装置 ※
　39.グラインダ ※
　40.コータ/デベロッパ
　41.露光装置
　42.イオン注入装置 ※
　43.熱処理装置
　44.レーザーアニール装置
　45.ドライエッチング装置 ※
　46.スパッタリング装置 ※
　47.洗浄装置
　48.ダイシング装置 ※
　49.ダイボンダ
　50.加圧シンタリング装置
　51.ワイヤボンダ
　52.モールティング装置
　53.ウェーハ外観検査装置 ※
　54.電気テスタ装置

　※SiC/GaNパワーデバイス向けを対象

※調査過程で変更となる可能性がございます。