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2020 化合物半導体市場の最新動向
ポストSi半導体として高周波・パワー・光などの多分野で注目される化合物半導体(ワイドバンドギャップ半導体)。高出力化、高速化、高効率化、集積化が可能なことから「高周波デバイス」「光デバイス」「スイッチングデバイス」として5G通信、自動運転、IoTなどでの利用が期待される化合物半導体について、デバイス・用途ごとの製品動向、要求特性、材料の研究開発・採用動向を把握し、市場への影響を展望します。
目次
1.0 総括編 1 1.1 総括 2 1.2 化合物半導体デバイス市場の現状と将来展望 4 1.3 化合物半導体ウェハ市場の現状と将来展望 17 1.4 化合物半導体ウェハ開発ロードマップ 18 1.5 ウェハ製造技術の動向 19 1.6 周波数・波長別化合物半導体採用動向 20 1.7 参入メーカー一覧 22 2.0 デバイス編 24
2.1 高周波デバイス 25 2.1.1 GaAs系高周波デバイス 25 2.1.2 GaN系高周波デバイス 32 2.1.3 SiGe系高周波デバイス 40 2.1.4 InP系高周波デバイス 42 2.2 光デバイス 44 2.2.1 LD 44 2.2.2 UV-LED 53 2.2.3 PD 57 3.0 ウェハ編 61 3.1 GaAsウェハ 62 3.2 GaNウェハ 69 3.3 GaPウェハ 77 3.4 Ga2O3ウェハ 81 3.5 InPウェハ 85 3.6 SiCウェハ 90 3.7 SiGeウェハ 97 4.0 企業事例編 99 4.1 サイオクス 100 4.2 昭和電工 102 4.3 信越半導体 104 4.4 住友電気工業 106 4.5 ノベルクリスタルテクノロジー 109 4.6 三菱電機 111 4.7 Cree 113 4.8 NXP Semiconductors 115 4.9 VPEC 117 4.10 II-VI (Finisar) 119すべて表示
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