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2020 化合物半導体市場の最新動向

2020 化合物半導体市場の最新動向
発刊日2020/03/19 831908707

ポストSi半導体として高周波・パワー・光などの多分野で注目される化合物半導体(ワイドバンドギャップ半導体)。高出力化、高速化、高効率化、集積化が可能なことから「高周波デバイス」「光デバイス」「スイッチングデバイス」として5G通信、自動運転、IoTなどでの利用が期待される化合物半導体について、デバイス・用途ごとの製品動向、要求特性、材料の研究開発・採用動向を把握し、市場への影響を展望します。

目次

1.0 総括編	1
 1.1 総括	2
 1.2 化合物半導体デバイス市場の現状と将来展望	4
 1.3 化合物半導体ウェハ市場の現状と将来展望	17
 1.4 化合物半導体ウェハ開発ロードマップ	18
 1.5 ウェハ製造技術の動向	19
 1.6 周波数・波長別化合物半導体採用動向	20
 1.7 参入メーカー一覧	22

2.0 デバイス編	24
 2.1 高周波デバイス	25
  2.1.1 GaAs系高周波デバイス	25
  2.1.2 GaN系高周波デバイス	32
  2.1.3 SiGe系高周波デバイス	40
  2.1.4 InP系高周波デバイス	42
 2.2 光デバイス	44
  2.2.1 LD	44
  2.2.2 UV-LED	53
  2.2.3 PD	57

3.0 ウェハ編	61
 3.1 GaAsウェハ	62
 3.2 GaNウェハ	69
 3.3 GaPウェハ	77
 3.4 Ga2O3ウェハ	81
 3.5 InPウェハ	85
 3.6 SiCウェハ	90
 3.7 SiGeウェハ	97

4.0 企業事例編	99
 4.1 サイオクス	100
 4.2 昭和電工	102
 4.3 信越半導体	104
 4.4 住友電気工業	106
 4.5 ノベルクリスタルテクノロジー	109
 4.6 三菱電機	111
 4.7 Cree	113
 4.8 NXP Semiconductors	115
 4.9 VPEC	117
 4.10 II-VI (Finisar)	119
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提供利用形態

本体価格 税込価格 ネットワーク共有
書籍版 書籍版 600,000円 660,000円 -
書籍版 PDF版 PDFセット 660,000円 726,000円
NG
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