REPORTS調査レポート
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- 電子機器・電子部品
メモリー関連市場の最新動向調査 2025
発刊日2025/06/30 832501722 12inのシリコンウェハ需要の約半数を占めるNANDとDRAMは、半導体市場全体においても非常に大きなウェイトを占めています。2024年後半からはセット機器の需要に回復の兆しが見えており、AI対応に向けた大容量化ニーズが高まっていることから、今後の市況は緩やかに好転していくものと予想されています。米中貿易摩擦の深刻化に伴うサプライチェーンの二極化への対応が市場のトピックスとなる一方、NANDでの大容量化と高速化の進展、DRAMでは微細化とHBMへの投資拡大が技術面でのトピックスとなっています。本マルチクライアント特別調査企画では、これらのメモリーを軸に、アプリケーション、メモリー自体、構成材料や装置を統合的に分析します。
調査目的
本マルチクライアント特別調査報告書では、半導体業界の一大マーケットであるメモリーを軸に、アプリケーション、メモリーそのもの、関連材料などを統合的に分析することにより、メモリー市場の今後の動向、メモリーメーカー各社の実力、今後の投資計画、技術動向を明らかにすることを目的とした。すべて表示
調査対象
■メモリーデバイス(2品目) NAND、DRAM
■関連材料(4品目) シリコンウェハ、CMPスラリー、ダイシングテープ、メモリー基板 ■メモリーメーカーケーススタディ(6社) キオクシア、CXMT、Micron Technology、Samsung El.、SK hynix、YMTCすべて表示
調査項目
■メモリーデバイス 1. 製品概要
2. デバイス市場動向 3. シリコンウェハベース市場動向 4. メーカー動向 5. 製品ロードマップ ■関連材料 1. 製品概要 2. 市場動向 3. メーカー動向 4. メモリーメーカーからの要求の変化 5. 製品ロードマップ ■メモリーメーカーケーススタディ 1. 企業プロフィール 2. メモリー事業の概況 3. メモリー製造関連動向 4. 製品供給先 5. 材料・装置調達先 6. 材料・装置調達における方針、中国製材料・装置の採用状況すべて表示
目次
1.0 総括 1 1.1 メモリーデバイスの世界市場 2 1.2 各メモリーメーカーの製造ラインと設備投資動向 3 1.3 技術動向 12 1.3.1 3D NAND大容量化・高速化へのアプローチ 12 1.3.2 DRAMにおけるプロセスルールの微細化とEUV露光技術の採用拡大 15 1.3.3 HBMの大容量化・高速化と工法の変化(CoW・WoW) 17 1.4 米中デカップリングの影響 19 1.4.1 日本・米国・中国政府によるメモリー業界への支援、政策動向 19 1.4.2 No China・In China戦略による外資系メーカーの中国工場の位置付け 22
1.5 アプリケーション動向 25 1.5.1 スマートフォン 25 1.5.2 ノートPC 28 1.5.3 サーバー 31 2.0 メモリーデバイス 34 2.1 NAND 35 2.2 DRAM 43 3.0 関連材料 53 3.1 シリコンウェハ 54 3.2 CMPスラリー 59 3.3 ダイシングテープ 63 3.4 メモリー基板 67 4.0 メモリーメーカーケーススタディ 76 4.1 キオクシア 77 4.2 CXMT 86 4.3 Micron Technology 94 4.4 Samsung El. 106 4.5 SK hynix 117 4.6 YMTC 128すべて表示
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