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2022 化合物半導体関連市場の現状と将来展望

2022 化合物半導体関連市場の現状と将来展望
発刊日2022/08/04 832202827

化合物半導体市場は本格的な成長期を迎えつつあり、パワーデバイスやRFデバイスではSi半導体ではカバーできなかった領域での採用が進んでおり、重要性が再認識されています。他方では、原材料価格の高騰、米中貿易摩擦の影響による中国ローカルメーカーの内製化進展に伴う副資材市場の変化など、市場環境も著しく変化しています。本市場調査資料は化合物半導体とその有望アプリケーション、関連部材、装置の市場や製品トレンドを調査します。

目次

1.0 総括	1
 1.1 化合物半導体デバイス関連市場の動向	3
 1.2 カテゴリー別市場規模推移・予測	7
 1.3 化合物半導体市場動向	14
  1.3.1 LEDパッケージ市場動向	14
  1.3.2 LEDチップ市場動向	16
  1.3.3 MiniLED・MicroLED市場動向	18
  1.3.4 化合物光デバイス市場動向	27
  1.3.5 化合物RFデバイス市場動向	34
  1.3.6 化合物パワーデバイス市場動向	38
  1.3.7 可視光LDの採用動向(プロジェクター向けなど)	43
  1.3.8 基板動向	45
  1.3.9 メーカー地域別参入動向	49

2.0 アプリケーション	51
 2.1 自動車	53
 2.2 車載ディスプレイ	58
 2.3 データセンター	62
 2.4 一般照明	65
 2.5 モバイル機器	69
 2.6 基地局	72

3.0 化合物半導体	77
 3.1 LEDパッケージ	79
  3.1.1 白色LEDパッケージ	79
  3.1.2 有色LEDパッケージ	86
  3.1.3 赤外光LEDパッケージ	91
  3.1.4 紫外光LEDパッケージ	95
 3.2 LEDチップ	99
  3.2.1 GaN系LEDチップ	99
  3.2.2 GaAs・GaP系LEDチップ	104
  3.2.3 赤外光LEDチップ	108
  3.2.4 紫外光LEDチップ	112
 3.3 MiniLED・MicroLED	115
  3.3.1 MiniLED	115
  3.3.2 MicroLED	117
 3.4 LD	119
  3.4.1 VCSEL	119
  3.4.2 DFB・CW+SiPh・ITLA・IC-TROSA	123
  3.4.3 ファブリペロー(その他EEL、励起LDなど)	127
 3.5 その他光デバイス	131
  3.5.1 化合物イメージセンサー(InGaAs、GeSi)	131
  3.5.2 化合物PD・APD	133
  3.5.3 フォトカプラ	137
 3.6 RFデバイス	141
  3.6.1 GaAs RF	141
  3.6.2 GaN on Si RF	144
  3.6.3 GaN on SiC RF	146
  3.6.4 SiGe RF	150
  3.6.5 次世代RF(InP、ダイヤモンド)	152
 3.7 パワーデバイス	154
  3.7.1 GaN on Siパワー	154
  3.7.2 SiCパワー	158
  3.7.3 次世代パワー(Ga2O3、GaN on GaN)	165

4.0 関連部材・装置	167
 4.1 基板	169
  4.1.1 サファイア基板	169
  4.1.2 GaAs基板	173
  4.1.3 GaN on GaN基板	178
  4.1.4 GaN on Si基板	183
  4.1.5 GaN on SiC基板	187
  4.1.6 InP基板	191
  4.1.7 SiC基板	195
  4.1.8 Ga2O3基板	200
  4.1.9 ダイヤモンド基板	204
 4.2 その他部材・装置	207
  4.2.1 LED用シリコーン封止材	207
  4.2.2 LED用エポキシ封止材	211
  4.2.3 LED用熱可塑性リフレクター樹脂	215
  4.2.4 LED用熱硬化性リフレクター樹脂	219
  4.2.5 ダイボンド材	222
  4.2.6 有機金属	226
  4.2.7 セラミックパッケージ	230
  4.2.8 基板用スラリー	234
  4.2.9 基板用パッド	239
  4.2.10 ダイシング装置	243
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